Defects and Synchrotron X-Ray Topography in Silicone-Carbide Based Devices
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Sprache:Englisch
Fr. 154.90
inkl. gesetzl. MwSt.Beschreibung
Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
Family Sharing
Nein
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
06.06.2023
Herausgeber
Juraj Marek + weitereVerlag
Trans Tech PublicationsSeitenzahl
152 (Printausgabe)
Dateigröße
35798 KB
Sprache
Englisch
EAN
9783036413327
The presented special edition is devoted to the latest research in semiconductor materials and devices on silicon carbide and the design and research of machines and equipment. This issue will be helpful to specialists engaged in the design and production of power electronics and to mechanical engineers.
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