Band 62
AlGaN/GaN-HEMT power amplifiers with optimized power-added efficiency for X-band applications Dissertationsschrift
-
- Englisch ausgewählt
Fr. 67.90
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
17.06.2011
Verlag
KIT Scientific PublishingSeitenzahl
259
Maße (L/B/H)
21/14.8/1.7 cm
Gewicht
384 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-86644-615-1
This work has arisen out of the strong demand for a superior power-added efficiency (PAE) of AlGaN/GaN high electron mobility transistor (HEMT) high-power amplifiers (HPAs) that are part of any advanced wireless multifunctional RF-system with limited prime energy. Different concepts and approaches on device and design level for PAE improvements are analyzed, e.g. structural and layout changes of the GaN transistor and advanced circuit design techniques for PAE improvements of GaN HEMT HPAs.
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.