Band 34
Amorphous and Crystalline Silicon Carbide and Related Materials Proceedings of the First International Conference, Washington DC, December 10 and 11, 1987
Aus der Reihe
Springer Proceedings in Physics
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- Englisch ausgewählt
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
19.01.2012
Herausgeber
Gary L. Harris + weitereVerlag
Springer BerlinSeitenzahl
199
Maße (L/B/H)
24.4/17/1.2 cm
Gewicht
382 g
Auflage
1989
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-642-93408-7
Although silicon carbide has been used for more than half a century, its potential as a high-temperature, corrosion-resistant semiconductor has only recently begun to be exploited. Both crystalline and amorphous forms of SiC offer several advantages over Si, GaAs, and InP for high-frequency, high-power, and high-speed circuits. This volume contains reports on high-temperature SiC MOSFETs and MESFETs, secondary harmonic generation in SiC, a-SiC emitter heterojunction bipolar transistors, and bulk crystal growth of 6H-SiC. For newcomers to the field it provides an up-to-date review of technological developments in SiC and related materials, while specialists will find here recent references and new insights into materials for high-temperature, high-power, and high-speed circuit applications.
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