Produktbild: Beyond-CMOS Nanodevices 2

Beyond-CMOS Nanodevices 2

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

30.06.2014

Herausgeber

Francis Balestra

Verlag

ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc

Seitenzahl

320

Maße (L/B/H)

23.6/16/1.8 cm

Gewicht

417 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-84821-655-6

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Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

30.06.2014

Herausgeber

Francis Balestra

Verlag

ISTE Ltd and John Wiley & Sons Inc

Seitenzahl

320

Maße (L/B/H)

23.6/16/1.8 cm

Gewicht

417 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-84821-655-6

Herstelleradresse

Libri GmbH
Europaallee 1
36244 Bad Hersfeld
DE

Email: gpsr@libri.de

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  • Produktbild: Beyond-CMOS Nanodevices 2
  • ACKNOWLEDGMENTS ix

    GENERAL INTRODUCTION xi
    Francis BALESTRA

    INTRODUCTION TO VOLUME 2: SILICON NANOWIRE BIO-CHEMICAL SENSORS 1
    Francis BALESTRA

    CHAPTER 1. SMALL SLOPE SWITCHES 5
    Adrian M. IONESCU and Francis BALESTRA, Kathy BOUCART, Giovanni SALVATORE and Alexandru RUSU

    1.1. Introduction 5

    1.2. Tunnel FETs 6

    1.3. Ferroelectric gate FET 14

    1.4. Bibliography 21

    CHAPTER 2. NANOWIRE DEVICES 25
    Gérard GHIBAUDO, Sylvain BARRAUD, Mikaël CASSÉ, Xin Peng WANG, Guo Qiang LO, Dim-Lee KWONG, Marco PALA and Zheng FANG

    2.1. Introduction 25

    2.2. NW for logic CMOS devices 26

    2.2.1. NW fabrication and technology 26

    2.2.2. Quantum simulation of NWs 37

    2.2.3. Electrical characterization of NWs 49

    2.3. Nano-CMOS ultimate memories 66

    2.3.1. Overview of memory  66

    2.3.2. NW application in the evolutive solution path 67

    2.3.3. NW technology along the disruptive solution path 73

    2.4. Conclusions 81

    2.5. Acknowledgments    82

    2.6. Bibliography 82

    CHAPTER 3. GRAPHENE AND 2D LAYER DEVICES FOR MORE MOORE AND MORE-THAN-MOORE APPLICATIONS 97
    Max C. LEMME

    3.1. Introduction 97

    3.2. Graphene 98

    3.2.1. Graphene fabrication   98

    3.2.2. Macroscopic graphene field effect transistors 101

    3.2.3. Graphene nanoribbon transistors 103

    3.2.4. Bilayer graphene and substrate effects   105

    3.2.5. RF transistors 106

    3.2.6. Alternative graphene switches 107

    3.3. 2D materials beyond graphene 108

    3.4. Conclusions 109

    3.5. Acknowledgments    110

    3.6. Bibliography 110

    CHAPTER 4. NANOELECTROMECHANICAL SWITCHES 117
    Hervé FANET

    4.1. Context   117

    4.2. Nanorelay principles 118

    4.2.1. The electrostatic actuation 119

    4.2.2. The piezoelectrical actuation 120

    4.2.3. The magnetic actuation  120

    4.2.4. The thermal actuation 120

    4.3. Electrostatic nanorelay modeling and optimization  121

    4.3.1. Dynamic modeling 121

    4.3.2. Quasi-static modeling 124

    4.4. Technological challenges for NEMS computing 127

    4.4.1. Low voltage operation 127

    4.4.2. Reliability of contact technology 128

    4.5. NEMS-based architectures 129

    4.5.1. Conventional architectures 129

    4.5.2. Adiabatic architectures 130

    4.6. Conclusions 131

    4.7. Bibliography 132

    LIST OF AUTHORS  133

    INDEX 135