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Produktbild: Halbleiterbauelemente

Halbleiterbauelemente

Aus der Reihe Leitfaden der Elektrotechnik

Fr. 52.90

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

26.11.2012

Abbildungen

X, 43 Abbildungen mit 11 Tafeln, 36 Beispiele.

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

426

Maße (L/B/H)

24.4/17/2.4 cm

Gewicht

761 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1992

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-322-99981-8

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

26.11.2012

Abbildungen

X, 43 Abbildungen mit 11 Tafeln, 36 Beispiele.

Verlag

Vieweg & Teubner

Seitenzahl

426

Maße (L/B/H)

24.4/17/2.4 cm

Gewicht

761 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1992

Sprache

Deutsch

ISBN

978-3-322-99981-8

Herstelleradresse

Vieweg+Teubner Verlag
Abraham-Lincoln-Straße 46
65189 Wiesbaden
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Produktbild: Halbleiterbauelemente
  • 1 Übergänge zwischen Halbleitern, Metallen und Isolatoren.- 1.1 Der einfache pn-Übergang.- 1.1.1 Der stromlose idealisierte pn-Übergang.- 1.1.2 Der gleichstromdurchflossene idealisierte pn-Übergang.- 1.1.2.1 Die Strom-Spannungs-Charakteristik.- 1.1.2.2 Die Termperaturabhängigkeit.- 1.1.3 Abweichungen bei realen pn-Übergängen.- 1.1.3.1 Generation und Rekombination in der Raumladungszone.- 1.1.3.2 Oberflächenrekombination.- 1.1.3.3 Verhalten bei grossen Strömen.- 1.1.3.4 Durchbruchserscheinungen.- 1.1.4 Der wechselstromdurchflossene pn-Übergang.- 1.1.4.1 Kleinsignalverhalten.- 1.1.4.2 Grosssignalverhalten.- 1.2 Der pin- und psn-Übergang.- 1.2.1 Die stationäre Strom-Spannungs-Charakteristik.- 1.2.2 Der wechselstromdurchflossene Übergang.- 1.2.2.1 Kleinsignalverhalten.- 1.2.2.2 Grosssignalverhalten.- 1.3 Der Metall-Halbleiter-Übergang.- 1.3.1 Verarmungs- und Anreicherungs-Randschichten.- 1.3.2 Der gleichstromdurchflossene Schottky-Übergang.- 1.3.3 Der wechselstromdurchflossene Schottky-Übergang.- 1.4 Der Metall-Isolator-Halbleiter-Übergang.- 1.4.1 Bändermodell und Kapazität der idealen MIS-Struktur.- 1.4.2 Korrekturen für reale MIS-Strukturen.- 2 Dioden.- 2.1 Gleichrichter- und Mischdioden.- 2.1.1 Punktkontakt-Dioden. Spitzendiode. Golddrahtdiode.- 2.1.2 Die Rückwärtsdiode.- 2.1.3 Die Schottky-Diode.- 2.1.4 Leistungsgleichrichter.- 2.2 Z-Dioden.- 2.3 Schaltdioden.- 2.4 Varaktordioden.- 2.4.1 Sperrschicht-Varaktoren.- 2.4.2 Speicher-Varaktoren.- 2.4.3 MIS-Varaktoren.- 2.5 Die pin-Diode als HF-Varistor und -Schalter.- 2.6 Aktive Mikrowellen-Dioden.- 2.6.1 Die Lawinen-Laufzeit-Diode.- 2.6.2 Die Baritt-Diode.- 2.6.3 Das Gunn-Element.- 2.6.4 Die Tunneldiode.- 2.7 Lichtempfindliche Dioden.- 2.7.1 Empfangsdioden.- 2.7.1.1 Die Photodiode.- 2.7.1.2 Die Lawinen-Photodiode.- 2.7.1.3 Das Photoelement.- 2.7.2 Sendedioden.- 2.7.2.1 Lumineszenzdioden.- 2.7.2.2 Laserdioden.- 3 Feldeffekt-Transistoren.- 3.1 Das Funktionsprinzip. Typenübersicht.- 3.2 Der FET mit nicht-isolierender Steuerelektrode (NIGFET).- 3.2.1 Der Aufbau des inneren Transistors.- 3.2.2 Der gleichstromdurchflossene innere Transistor.- 3.2.2.1 Die Strom-Spannungs-Charakteristik.- 3.2.2.2 Kennlinienfelder, Kenngrössen für den dynamischen Betrieb und Kleinsignal-Ersatzschaltung.- 3.2.2.3 Die Temperaturabhängigkeit des Drainstromes.- 3.2.3 Korrekturen für reale pn- und MES-FETs. Der praktische Arbeitsbereich.- 3.2.4 Sonderbauformen.- 3.2.4.1 Der NIGFET mit Substratsteuerung.- 3.2.4.2 Der NIGFET mit zwei Gates (Dual-Gate FET, Tetrode).- 3.2.4.3 Der MESFET mit verbesserten HF-Eigenschaften.- 3.3 Der FET mit isolierender Steuerelektrode (IGFET).- 3.3.1 Der Aufbau des inneren Transistors. Selbstsperrender und selbstleitender Typ.- 3.3.2 Der gleichstromdurchflossene innere Transistor.- 3.3.2.1 Die Strom-Spannungs-Charakteristik.- 3.3.2.2 Kennlinienfelder und dynamische Kenngrössen.- 3.3.2.3 Die Temperaturabhängigkeit des Drainstromes.- 3.3.3 Korrekturen für reale IGFETs. Vorsichtsmassnahmen.- 3.3.4 Sonderbauformen.- 3.3.4.1 Der IGFET mit Substratsteuerung.- 3.3.4.2 Der IGFET mit zwei Gates (Dual-Gate MOS-FET, Tetrode).- 3.3.4.3 Der MOS-Leistungstransistor.- 4 Bipolartransistoren.- 4.1 Das Funktionsprinzip. Typenübersicht.- 4.2 Der Aufbau des inneren Transistors.- 4.3 Der gleichstromdurchflossene innere Transistor.- 4.3.1 Ladungsträgerverteilung und Potentialverlauf im Transistor mit homogen dotierter Basis.- 4.3.2 Die Strom-Spannungs-Charakteristiken.- 4.3.2.1 Die drei Schaltungsarten.- 4.3.2.2 Kenngrössen für den stationären Betrieb.- 4.3.2.3 Kennlinienfelder.- 4.3.2.4 Kenngrössen für den dynamischen Betrieb und Kleinsignal-Ersatzschaltung.- 4.3.2.5 Die Temperaturabhängigkeit des Kollektorstromes.- 4.4 Korrekturen für reale Transistoren.- 4.5 Der praktische Arbeitsbereich.- 4.6 Sonderbauformen.- 4.6.1 Der Hetero-Bipolartransistor (HBT).- 4.6.2 Der Bipolartransistor mit isoliertem Gate (IGBT).- 4.6.3 Der Permeable-Base Transistor (PBT).- 5 Thyristoren.- 5.1 Strom-Spannungs-Beziehungen für Vierschichtstrukturen.- 5.2 Thyristor-Dioden.- 5.2.1 Die rückwärtssperrende Diode.- 5.2.2 Die bidirektionale Diode (Diac).- 5.3 Thyristor-Trioden.- 5.3.1 Die rückwärtssperrende Thyristor-Triode (Thyristor).- 5.3.2 Vom Thyristor abgeleitete Bauelemente.- 5.4 Thyristor-Tetroden.- 1 Ergänzende Bücher und Tabellenwerke.- 2 Physikalische Konstanten.- 3 Formelzeichen.- 4 Erläuterungen wichtiger Begriffe.