Band 31
Low Power and Reliable SRAM Memory Cell and Array Design
Aus der Reihe
Springer Series in Advanced Microelectronics
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- Hardcover
- Taschenbuch ausgewählt
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Sprache:Englisch
Fr. 138.00
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
27.11.2013
Herausgeber
Koichiro Ishibashi + weitereVerlag
Springer BerlinSeitenzahl
144
Maße (L/B/H)
23.5/15.5/0.9 cm
Gewicht
248 g
Auflage
2011
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-642-27018-5
Success in the development of recent advanced semiconductor device technologies is due to the success of SRAM memory cells. This book addresses various issues for designing SRAM memory cells for advanced CMOS technology. To study LSI design, SRAM cell design is the best materials subject because issues about variability, leakage and reliability have to be taken into account for the design.
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