• Produktbild: Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics
  • Produktbild: Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics
Band 157

Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics Thermal and Electrical Stability

Fr. 138.00

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

149

Maße (L/B/H)

23.5/15.5/1 cm

Gewicht

260 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st edition 2012

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4939-4308-1

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.08.2016

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

149

Maße (L/B/H)

23.5/15.5/1 cm

Gewicht

260 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st edition 2012

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4939-4308-1

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: GPSR Kontakt

Noch keine Bewertungen vorhanden

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.

Kundinnen und Kunden meinen

Bewertungen (0)

  • Produktbild: Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics
  • Produktbild: Metal-Dielectric Interfaces in Gigascale Electronics
  • Preface

    1. Introduction
    1.1 Metal-dielectric interfaces in IC chips
    1.2 Materials choices
    1.3 Thermal and electrical stability

    2. Metal-Dielectric Diffusion Processes: Fundamentals
    2.1  Thermal diffusion
    2.2  Field-enhanced ion drift
    2.3  Thermodynamics and chemical interactions
    2.4  Summary

    3. Experimental Techniques
    3.1 Test structures
    3.2 Electrical measurements
    3.3 Elemental characterizations
    3.4 Summary

    4. Al-Dielectric Interfaces
    4.1 Al-SiO2 interface
    4.2 Al/low-k dielectric interfaces
    4.3 Chemical identification of Al-ion drift
    4.4 SiO2 as a dielectric barrier against Al-ion drift
    4.5 Summary

    5. Cu-Dielectric Interfaces
    5.1 Stability of Cu-SiO2 in an oxygen-free environment
    5.2 Instability of Cu-SiO2 in an oxygen-containing environment
    5.3 Origin of Cu ions in SiO2
    5.4 Cu ion diffusivity inside SiO2
    5.5 Cu ions in porous low-k dielectrics
    5.6 Pre-cleaning of Cu/low-k dielectrics
    5.7 Cu atoms in porous low-k dielectrics
    5.8 Dielectrics containing no oxygen
    5.9 Summary

    6. Barrier Metal-Dielectric Interfaces
    6.1 Barrier metals on SiO 2
    6.2 Barrier metals on low- k dielectrics

    7. Self-Forming Barriers
    7.1 General considerations
    7.2 Cu(Al) self-forming barrier
    7.3 Cu(Mg) self-forming barrier           
    7.4. Cu(Mn) self-forming barrier
    7.5 Refractory metal self-forming barrier alloys
    7.6 Summary

    8. Kinetics of Ion Drift
    8.1 Ion distribution simulations
    8.2 Leakage current
    8.3 C-V characteristics
    8.4 Summary

    9. Time-Dependent Dielectric Breakdown (TDDB) and Future Directions
    9.1 Time-dependent dielectric breakdown (TDDB)
    9.2 Dielectric pore-sealing
    9.3 Resistance-switching memory
    9.4 Summary