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Produktbild: Nano-Semiconductors

Nano-Semiconductors Devices and Technology

Fr. 193.00

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

29.03.2017

Abbildungen

schwarz-weiss Illustrationen, Tabellen, schwarz-weiss

Herausgeber

Krzysztof Iniewski

Verlag

Taylor and Francis

Seitenzahl

599

Maße (L/B/H)

23.4/15.6/3.2 cm

Gewicht

453 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-138-07266-4

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

29.03.2017

Abbildungen

schwarz-weiss Illustrationen, Tabellen, schwarz-weiss

Herausgeber

Krzysztof Iniewski

Verlag

Taylor and Francis

Seitenzahl

599

Maße (L/B/H)

23.4/15.6/3.2 cm

Gewicht

453 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-138-07266-4

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  • Produktbild: Nano-Semiconductors
  • Section I: Semiconductor Materials

    Electrical Propagation on Carbon Nanotubes: From Electrodynamics to Circuit Models

    Monolithic Integration of Carbon Nanotubes and CMOS

    Facile, Scalable, and Ambient—Electrochemical Route for Titania Memristor Fabrication

    Spin Transport in Organic Semiconductors: A Brief Overview of the First Eight Years

    Section II: Silicon Devices and Technology

    SiGe BiCMOS Technology and Devices

    Ultimate FDSOI Multigate MOSFETs and Multibarrier Boosted Gate Resonant Tunneling FETs for a New High-Performance Low-Power Paradigm

    Development of 3D Chip Integration Technology

    Embedded Spin–Transfer–Torque MRAM

    Nonvolatile Memory Device: Resistive Random Access Memory

    DRAM Technology

    Monocrystalline Silicon Solar Cell Optimization and Modeling

    Radiation Effects on Silicon Devices

    Section III: Compound Semiconductor Devices and Technology

    GaN/InGaN Double Heterojunction Bipolar Transistors Using Direct-Growth Technology

    GaN HEMTs Technology and Applications

    Surface Treatment, Fabrication, and Performances of GaN-Based Metal–Oxide-Semiconductor High-Electron Mobility Transistors

    GaN-Based HEMTs on Large Diameter Si Substrate for Next Generation of High Power/High Temperature Devices

    GaAs HBT and Power Amplifier Design for Handset Terminals

    Resonant Tunneling and Negative Differential Resistance in III-Nitrides

    New Frontiers in Intersubband Optoelectronics Using III- Nitride Semiconductors