Analyse thermodynamique des processus de croissance de la couche épitaxiale connexion semi-conductrice de Ga2Se3 par la méthode du tube ouvert dans le système de transport de gaz Ga-Se-Cl-H
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
12.06.2020
Verlag
Editions Notre SavoirSeitenzahl
60
Maße (L/B/H)
22/15/0.4 cm
Gewicht
107 g
Sprache
Französisch
ISBN
978-620-2-58895-9
Le présent travail est consacré à l'analyse thermodynamique des processus physico-chimiques de croissance des couches épitaxiales du composé semi-conducteur Ga2Se3 à partir de la phase gazeuse dans le système d'écoulement Ga - Se - Cl - H et à la modélisation des processus technologiques pour la prévision des variantes technologiques possibles et la détermination des conditions optimales pour la synthèse de ce composé. Les résultats des recherches sur la définition et le calcul des paramètres thermodynamiques des substances individuelles du système Ga - Se - Cl - H sont donnés, pour leur utilisation à la modélisation thermodynamique des processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 à partir d'une phase gazeuse. Le lien entre les variables thermodynamiques et les paramètres technologiques du processus de synthèse du Ga2Se3 dans un réacteur de type ouvert avec des sources séparées de gallium et de sélénium est étudié. Le schéma de calcul des paramètres technologiques du processus de croissance des couches épitaxiales de Ga2Se3 dans le système de transport de gaz en flux avec des sources séparées de gallium et de sélénium est illustré.
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