Thermodynamische analyse van epitaxiale laaggroeiprocessen halfgeleiderverbinding van Ga2Se3 via open pijpmethode in gastransportsysteem Ga-Se-Cl-H
-
- Niederländisch ausgewählt
Fr. 31.90
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
12.06.2020
Verlag
Uitgeverij Onze KennisSeitenzahl
64
Maße (L/B/H)
22/15/0.4 cm
Gewicht
113 g
Sprache
Niederländisch
ISBN
978-620-2-58899-7
Het huidige werk is gewijd aan de thermodynamische analyse van fysicochemische processen van groei van epitaxiale lagen van halfgeleiderverbinding Ga2Se3 uit de gasfase in het stromingssysteem Ga - Se - Cl - H en het modelleren van technologische processen voor het voorspellen van mogelijke technologische varianten en het bepalen van optimale condities voor de synthese van deze verbinding. De resultaten van onderzoek naar de definitie en berekening van thermodynamische parameters van individuele stoffen van het Ga - Se - Cl - H systeem worden gegeven, voor hun gebruik bij thermodynamische modellering van processen van groei van epitaxiale lagen van Ga2Se3 uit een gasfase. Het verband tussen thermodynamische variabelen en technologische parameters van het Ga2Se3 syntheseproces in open-type reactor met afzonderlijke bronnen van gallium en selenium wordt onderzocht. Het schema van de berekening van de technologische parameters van het proces van groeiende epitaxiale lagen van Ga2Se3 in het stromingsgas transportsysteem met afzonderlijke bronnen van gallium en selenium wordt geïllustreerd.
Kundinnen und Kunden meinen
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kund*innen durch Ihre Meinung