Produktbild: Martins, E: Essentials of Semiconductor Device Physics

Martins, E: Essentials of Semiconductor Device Physics

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

28.07.2022

Verlag

John Wiley & Sons Inc

Seitenzahl

240

Maße (L/B/H)

22.9/15.2/1.4 cm

Gewicht

397 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-119-88411-8

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

28.07.2022

Verlag

John Wiley & Sons Inc

Seitenzahl

240

Maße (L/B/H)

22.9/15.2/1.4 cm

Gewicht

397 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-119-88411-8

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  • Produktbild: Martins, E: Essentials of Semiconductor Device Physics
  • Preface
     
    1 Concepts of Statistical Physics
     
    1.1 Introduction
     
    1.2 Thermal Equilibrium
     
    1.3 Partition function - Part I
     
    1.4 Diffusive equilibrium and the chemical potential
     
    1.5 The partition function, Part II
     
    1.6 Example of application: energy and number of elements of a system
     
    1.7 The Fermi-Dirac distribution
     
    1.8 Analogy between the systems "box" and "coins"
     
    1.9 Concentration of electrons and Fermi level
     
    1.10 Transport
     
    1.11 Relationship between current and concentration of particles (continuity equation)
     
    1.12 Suggestions for further reading
     
    1.13 Exercises
     
    2 - Semiconductors
     
    2.1 Band Theory
     
    2.2 Electrons and holes
     
    2.3 Concentration of free electrons
     
    2.4 Density of states
     
    2.5 Concentration of holes and Fermi level
     
    2.6 Extrinsic semiconductors (doping)
     
    2. 7 Exercises
     
    3 Introduction to semiconductor devices: the p-n junction
     
    3.1 p-n junction in thermodynamic equilibrium - qualitative description
     
    3.2 p-n junction in thermodynamic equilibrium - quantitative description
     
    3.3 Systems outside thermodynamic equilibrium: the quasi-Fermi levels.
     
    3.4 Qualitative description of the relationship between current and voltage in a p-n junction
     
    3.5 The current vs voltage relationship in a p-n junction (Shockley's equation)
     
    3.6 Suggestions for further reading
     
    3.7 Exercises
     
    4 Photovoltaic devices (mainly solar cells)
     
    4.1 Solar cells and photodetectors
     
    4.2 Physical principles
     
    4.3 The equivalent circuit
     
    4.4 The I x V curve and the fill-factor
     
    4.5 Efficiency of solar cells and the theoretical limit
     
    4.6 Connections of solar cells
     
    4.7 Suggestions for further reading
     
    4.8 Exercises
     
    5 Transistors
     
    5.1 The Bipolar Junction Transistor (BJT)
     
    5.1.1 Physical principles of the BJT
     
    5.1.2 The beta parameter and the relationship between emitter, collector and base currents
     
    5.1.3 Relationship between IC and VCE and the Early effect
     
    5.1.4 The BJT as an amplifier
     
    5.2 The MOSFET
     
    5.2.1 Physical principles
     
    5.2.3 Examples of applications of MOSFETS: logic inverters and logic gates
     
    5.3 Suggestions for further reading
     
    5.4 Exercises
     
    Appendix: Geometrical interpretation of the chemical potential and free energy