Analyse und Optimierung der parasitären Elemente in integrierten SiC-Traktionsumrichtern hoher Leistungsdichte
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Paperback
Erscheinungsdatum
08.03.2023
Verlag
Cuvillier VerlagSeitenzahl
230
Maße (L/B/H)
21/14.8/1.3 cm
Gewicht
304 g
Auflage
1
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-7369-7749-5
https://cuvillier.de/de/shop/publications/8766-analyse-und-optimierung-der-parasitaren-elemente-in-integrierten-sic-traktionsumrichtern-hoher-leistungsdichte
Für einen erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap mit einer hohen Flankensteilheit ist die Beherrschung der parasitären Elemente von zentraler Bedeutung. Am Beispiel eines integrierten Traktionsumrichters auf Basis von Siliziumcarbid werden in dieser Arbeit die parasitären Elemente des Leistungs- und Ansteuerteils analysiert und optimiert. Ziel ist die gezielte Optimierung der parasitären Elemente in den Komponenten Leistungsmodul, Zwischenkreiskondensator, Zwischenkreis und Ansteuerpfad unter Berücksichtigung des Systemgedankens. Diese Arbeit liefert einen Beitrag für Design-Richtlinien von Systemkomponenten aus Sicht des Gesamtsystems, sodass Barrieren für den erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap Leistungshalbleitern in Antriebsumrichtern überwunden werden können.
Für einen erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap mit einer hohen Flankensteilheit ist die Beherrschung der parasitären Elemente von zentraler Bedeutung. Am Beispiel eines integrierten Traktionsumrichters auf Basis von Siliziumcarbid werden in dieser Arbeit die parasitären Elemente des Leistungs- und Ansteuerteils analysiert und optimiert. Ziel ist die gezielte Optimierung der parasitären Elemente in den Komponenten Leistungsmodul, Zwischenkreiskondensator, Zwischenkreis und Ansteuerpfad unter Berücksichtigung des Systemgedankens. Diese Arbeit liefert einen Beitrag für Design-Richtlinien von Systemkomponenten aus Sicht des Gesamtsystems, sodass Barrieren für den erfolgreichen Einsatz von Wide-Bandgap Leistungshalbleitern in Antriebsumrichtern überwunden werden können.
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