CMOS-Technologie Einstufiger Differenzialverstärker im 32-Nanometer-Bereich
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
18.07.2023
Verlag
Verlag Unser WissenSeitenzahl
56
Maße (L/B/H)
22/15/0.4 cm
Gewicht
102 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-620-6-24462-2
Die Technologie wird immer kleiner; die grösste Herausforderung besteht darin, Differenzverstärker in Nanotechnologie mit den besten Leistungsparametern zu entwickeln. Die MOSFET-Technologie wird verkleinert, um die Leistungs-, Kosten- und Energieanforderungen der kommenden Anwendungen mit hohem Durchsatz zu erfüllen. Die Skalierung herkömmlicher MOSFETs kann aufgrund unkontrollierbarer Kurzkanaleffekte und übermässiger Schwellenspannungsschwankungen schwierig sein, wenn der Technologieknoten weiter entfernt ist. Daher wurden neuartige Transistorstrukturen untersucht, um eine weitere Skalierung zu ermöglichen. CNFET und FinFET haben ein grosses Potenzial, die bestehende Bulk-MOSFET-Technologie in Zukunft zu ersetzen. Als eines der vielversprechenden neuen Bauelemente beseitigt der CNFET die meisten der grundlegenden Beschränkungen herkömmlicher Silizium-Bauelemente. FinFET ist die attraktivste Wahl unter den Doppel-Gate-Transistorarchitekturen, da sich die beiden Gates selbst ausrichten und die Herstellungsschritte denen der bestehenden Standard-MOSFET-Technologie ähneln.
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