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Produktbild: Lifetime Spectroscopy
Band 85

Lifetime Spectroscopy A Method of Defect Characterization in Silicon for Photovoltaic Applications

Fr. 359.00

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

23.06.2005

Abbildungen

XXVI, 492 p.

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

492

Maße (L/B/H)

24.1/16/3.7 cm

Gewicht

1035 g

Auflage

2005

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-540-25303-7

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Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

23.06.2005

Abbildungen

XXVI, 492 p.

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

492

Maße (L/B/H)

24.1/16/3.7 cm

Gewicht

1035 g

Auflage

2005

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-540-25303-7

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Theory of carrier lifetime in silicon.- Lifetime measurement techniques.- Theory of lifetime spectroscopy.- Defect characterization on intentionally metal-contaminated silicon samples.- The metastable defect in boron-doped Czochralski silicon.- Summary and further work.- Zusammenfassung und Ausblick.