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Produktbild: Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques

Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

13.10.2011

Abbildungen

273 b/w illus. 10 tables, Zeichnungen, nicht spezifiziert, Tabellen, schwarz-weiss

Herausgeber

Rudolph Matthias + weitere

Verlag

Cambridge Academic

Seitenzahl

366

Maße (L/B/H)

25.5/17.7/1.9 cm

Gewicht

870 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-521-76210-6

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Erscheinungsdatum

13.10.2011

Abbildungen

273 b/w illus. 10 tables, Zeichnungen, nicht spezifiziert, Tabellen, schwarz-weiss

Herausgeber

Verlag

Cambridge Academic

Seitenzahl

366

Maße (L/B/H)

25.5/17.7/1.9 cm

Gewicht

870 g

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Englisch

ISBN

978-0-521-76210-6

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  • Produktbild: Nonlinear Transistor Model Parameter Extraction Techniques

  • 1. Introduction M. Rudolph; 2. DC and thermal modeling: III-V FETs and HBTs M. Iwamoto, J. Xu and D. E. Root; 3. Extrinsic parameter and parasitic elements in III-V HBT and HEMT modeling S. R. Nedeljkovic, W. J. Clausen, F. Kharabi, J. R. F. McMacken and J. M. Gering; 4. Uncertainties in small-signal equivalent circuit modeling C. Fager, K. Andersson and M. Ferndahl; 5. The large-signal model: theoretical foundations, practical considerations, and recent trends D. E. Root, J. Horn, J. Xu and M. Iwamoto; 6. Large and packaged transistors J. Engelmann, F.-J. Schmückle and M. Rudolph; 7. Characterization and modeling of dispersive effects O. Jardel, R. Sommet, J.-P. Teyssier and R. Quéré; 8. Optimizing microwave measurements for model construction and validation D. Schreurs, M. Myslinski and G. Crupi; 9. Practical statistical simulation for efficient circuit design P. Zampardi, Y. Yang, J. Hu, B. Li, M. Fredriksson, K. Kwok and H. Shao; 10. Noise modeling M. Berroth.