Berührungslose Defektanalytik von Halbleitermaterialien Modellierung und quantitative Analyse der Mikrowellendetektierten Photoleitfähigkeit
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
18.05.2011
Verlag
Südwestdeutscher Verlag für HochschulschriftenSeitenzahl
152
Maße (L/B/H)
22/15/1 cm
Gewicht
244 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-8381-2440-7
Die hochempfindliche Methode der "Microwave Detected Photoconductivity" (MDP) wird eingesetzt, um technologisch relevante Halbleiterparameter wie die Ladungsträgerlebensdauer, Photoleitfähigkeit und Defektkonzentrationen über viele Grössenordnungen der optischen Anregung hinweg zu untersuchen. Durch die Entwicklung und die Anwendung eines neuartigen Modellierungssystems für die Ladungsträgerdynamik in Halbleitern können wichtige Defektparameter quantitativ aus MDP Messungen in Abhängigkeit der Anregungsintensität bestimmt werden. Ein Verfahren zur Charakterisierung von Haftstellen (Konzentration, Energielage, Einfangsquerschnitt) bei konstanter Temperatur wird vorgestellt. Das technologisch relevante Verfahren des quantitativen Eisennachweises in p-dotiertem Silizium wird für die MDP Methode angepasst und entsprechende Messergebnisse mit DLTS Resultaten verglichen. Ein detaillierter Vergleich der gängigsten kontaktlosen Messverfahren QSSPC und MW-PCD mit der MDP zeigt, dass entgegen gängiger Annahmen die unterschiedlichen Anregungsbedingungen zu drastischen Unterschieden in den gemessenen Werten der Ladungsträgerlebensdauer führen.
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