Hydrid-Gasphasenepitaxie von versetzungsarmen und freistehenden GaN-Schichten
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Sprache:Deutsch
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
03.08.2011
Verlag
Cuvillier, ESeitenzahl
164
Maße (L/B/H)
21/14.8/1 cm
Gewicht
221 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-3-86955-822-6
Diese Arbeit beschreibt die Herstellung von versetzungsreduzierten und freistehenden GaN-Schichten auf der Basis der Selbstablösung von einem Fremdsubstrat. Die wesentlichen Teilaspekte dabei sind das Wachstum dicker GaN-Schichten mittels Hydridgasphasenepitaxie (HVPE), Massnahmen zur Reduktion der Versetzungsdichte und die Ablösung der Epitaxieschicht vom Fremdsubstrat.
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