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Semiconducting Devices A Bibliography of Fabrication Technology, Properties, and Applications

Fr. 137.00

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

08.07.2012

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

944

Maße (L/B/H)

25.4/17.8/5.2 cm

Gewicht

1786 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1976

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4684-6092-6

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

08.07.2012

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

944

Maße (L/B/H)

25.4/17.8/5.2 cm

Gewicht

1786 g

Auflage

Softcover reprint of the original 1st ed. 1976

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4684-6092-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

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  • A. Books and Review Articles (General).- I. Books.- II. Review Articles.- B. Crystal Growth and Wafer Preparation.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Automation.- V. Crystal Growth.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- 3. Group III–V Semiconductors.- 4. Group II–VI Semiconductors.- 5. Impurity Distribution.- 6. Equipment.- VI. Wafer Processing.- 1. Slicing.- 2. Polishing.- 3. Cleaning.- 4. Contamination.- 5. Holding/Positioning.- 6. Transport.- 7. Handling.- 8. Inspection.- 9. Others.- C. Epitaxy.- I. Books and Symposia.- II. Review Articles.- III. Equipment.- IV. Automation.- V. Growth Kinetics.- VI. Homoepitaxy.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III–V Semiconductors.- a. General.- b. Gallium Arsenide.- c. Gallium Phosphide.- d. Indium Phosphide.- e. Ternaries.- f. Others.- 4. Group II–IV Semiconductors.- a. General.- b. Cadmium Telluride.- c. Cadmium Sulphide.- d. Ternaries.- e. Others.- VII. Autodoping.- VIII. Impurities.- 1. Profiles.- 2. Incorporation.- a. Group IV Semiconductors.- b. Group III–V Semiconductors.- IX. Heteroepitaxy.- 1. Semiconductor on Semiconductor.- 2. Semiconductor on Insulator.- X. Film Properties.- 1. Electrical.- 2. Optical.- 3. Structural.- 4. Morphology.- XI. Applications.- 1. Bipolar Transistors.- 2. P-N Junctions.- 3. LED.- 4. Lasers.- 5. IMPATT.- 6. Waveguides.- 7. Microwave Devices.- 8. Others.- D. Dielectric Thin Films.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Film Preparation.- 1. Equipments.- 2. Oxidation Kinetics.- 3. Techniques.- a. Thermal Oxidation.- b. Sputtering.- c. Pyrolitic (CVD).- d. Anodic.- e. Evaporation.- f. Others.- V. Physical Measurements.- 1. Structural Defects.- 2. Thickness.- 3. Contamination and Impurities.- VI. Film Properties.- 1. Optical.- 2. Ionic Diffusion.- 3. Charge Injection, Trapping and Storage.- 4. Pressure Sensitivity.- VII. Double Dielectric.- VIII. Dielectric-Metal Interface.- IX. Passivation and PSG.- E. Lithography.- I. Books and Symposia.- II. Review Articles.- III. Equipment.- IV. Photoresist.- 1. General.- 2. Compositions.- a. Positive.- b. Negative.- 3. Processing.- a. Applying.- b. Exposure.- c. Developing.- d. Etching.- e. Removal.- 4. Properties.- a. Adhesion.- b. Resolution.- c. Spectral Sensitivity.- V. Electron Resist.- 1. General.- 2. Compositions.- 3. Processing.- 4. Properties.- VI. Other Resists.- 1. X-ray.- 2. Ion-beam.- 3. Laser and Holography.- VII. Masks.- 1. General.- 2. Compositions.- 3. Computer-Aided-Design (CAD).- 4. Fabrication.- 5. Alignment.- 6. Special Techniques.- 7. Properties.- 8. Defects and Inspection.- F. Ion Implantation.- I. Bibliographies.- II. Books and Symposia.- III. Review Articles.- IV. Theory.- V. Materials.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III–V Semiconductors.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Others.- 4. Group II–IV Semiconductors.- a. Cadmium Telluride.- b. Cadmium Sulphide.- c. Others.- 5. Dielectrics.- VI. Device Applications.- 1. General.- 2. P-N Junctions.- 3. Diodes.- a. Photodiodes.- b. LED.- c. Detectors.- d. IMPATT.- e. Schottky.- f. Others.- 4. Bipolar Transistors.- 5. Field-Effect Transistors.- a. MOSFET.- b. CMOSFET.- c. MNOSFET.- d. CCD.- 6. Resistors.- 7. Other Devices.- VII. Equipment.- 1. Accelerators.- 2. Ion Sources.- 3. Beam Focusing.- 4. Beam Profiling.- 5. Others.- G. Etching.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Equipment.- V. Techniques.- 1. Ion-Beam.- 2. Sputter.- 3. Plasma.- 4. Photo-etching.- 5. Chemical.- 6. Electrochemical.- 7. Others.- VI. Semiconductors.- 1. Group IV.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon Carbide.- 2. Group III–V.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Others.- 3. Group II–VI.- VII. Dielectrics.- 1. Silicon Dioxide.- 2. Silicon Nitride.- 3. Silicon Dioxide and Silicon Nitride.- 4. Others.- VIII. Metals.- 1. Copper and Copper Alloys.- 2. Aluminum and Aluminum Alloys.- 3. Titanium and Titanium Alloys.- 4. Gold.- 5. Silver.- 6. Chromium.- 7. Tungsten.- 8. Molybdenum.- 9. Nickel.- 10. Tantalum.- 11. Brass.- 12. Others.- H. Isolation Techniques.- I. Bibliographies.- II. Review Articles.- III. Junction Isolation.- 1. Conventional Junctions.- 2. Collector Diffusion (CDI).- 3. Base Diffusion (BDI).- 4. Epitaxial Isolation.- 5. Self Isolation.- 6. Others.- IV. Dielectric Isolation.- 1. Oxide Process.- a. LOCOS.- b. ISOPLANAR.- c. ROI (Recessed Oxide Isolation).- d. PLANOX.- e. OXIM.- f. POLYPLANAR.- g. IPOS (Isolation by Porous Oxidized Silicon).- h. Others.- 2. Air Gap.- 3. Polysilicon.- 4. Glass and Ceramics.- 5. Others.- V. Other Techniques.- I. Device Fabrication.- I. Field-Effect Transistors.- 1. Mosfet.- 2. Cmosfet.- 3. Mnosfet.- II. Charge-Coupled Devices.- III. Schottky Diodes.- 1. Surface Preparation.- 2. Metal Deposition.- 3. Edge Protection (Guard Rings).- 4. Heat Treatment and Silicide Formation.- IV. Ohmic Contacts.- 1. Group IV Semiconductors.- 2. Group III–V Semiconductors.- 3. Group II–VI Semiconductors.- 4. All Other Semiconductors.- 5. Reliability.- J. Radiation Damage.- I. Books.- II. Symposia.- III. Review Articles.- IV. Materials.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III–V Semiconductors.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Indium Antimonide.- d. Others.- 4. Group II–IV Semiconductors.- a. Cadmium Sulphide.- b. Cadmium Telluride.- c. Others.- 5. Dielectrics.- a. Silicon Dioxide.- b. Others.- V. Devices.- 1. General.- 2. P-N Junctions.- 3. Bipolar Transistors.- 4. Field-Effect Transistors.- a. JFET.- b. MOSFET.- c. CMOSFET.- d. MISFET.- e. CCD.- f. SOS.- 5. Diodes.- a. IMPATT and TRAPATT.- b. LED.- c. Detectors.- d. Solar Cells.- e. Lasers.- f. Schottky.- g. Others.- 6. Other Devices.- K. Defects.- I. Books.- II. Review Articles.- III. Line Defects.- 1. Dislocations.- IV. Plane Defects.- 1. Stacking Faults.- 2. Twin Boundaries.- V. Point Defects.- 1. Vacancies and Interstitials.- 2. Impurities.- 3. Others.- VI. Mechanical Damage.- L. Structure Analysis.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Electron Beam Techniques.- 1. Scanning Electron Microscope.- a. SEM.- b. Cathodoluminescence.- c. Energy Dispersive Analysis.- d. Electron Beam Induced Current.- 2. Transmission Electron Microscope.- 3. Microprobe.- 4. Auger Electron Spectroscopy.- 5. Low Energy Electron Diffraction.- 6. High Energy Electron Diffraction.- 7. Electron Spectroscopy for Chemical Analysis.- 8. Others.- V. Ion Techniques.- 1. Probe.- 2. Ion Field.- 3. Backscattering.- 4. Mass Spectrometry.- VI. X-Ray Techniques.- 1. Topography.- 2. Borrmann Effect.- 3. Orientation Determination.- 4. Stress Analysis.- 5. Others.- VII. Infrared Techniques.- VIII. Neutron Techniques.- IX. Laser Techniques.- X. Etching Techniques.- XI. Electron Paramagnetic Resonance.- XII. Synergism.- XIII. Others.- M. Electrical and Optical Properties of mis Devices.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Theory.- V. Electrical Properties.- 1. Dielectric Breakdown.- 2. Dielectric Properties.- 3. Junction Breakdown.- 4. Noise Effects.- 5. Temperature Effects.- 6. Frequency Dependence.- 7. Switching Behavior.- 8. Charge Transport.- 9. Instabilities.- 10. Surface States.- a. General.- b. Fast Surface States.- c. Fixed Charge.- 11. Leakage Currents.- 12. Substrate Properties.- 13. Other Properties.- VI. Characterization.- 1. Impurity Profiles.- a. MIS Techniques.- b. Other Techniques.- 2. C–V Characteristics.- 3. I–V Characteristics.- 4. Other Techniques.- 5. Instrumentation.- VII. Gettering.- VIII. MIS as a Research Tool.- 1. Tunneling Spectroscopy.- 2. Carrier Mobility.- 3. Minority Carrier Lifetime.- 4. Others.- IX. Optical Properties.- 1. Photoelectric Effects.- 2. Others.- N. Fet Technologies and Applications.- I. Books.- II. Review Articles.- III. Technologies.- 1. Silicon-Gate.- 2. CMOS.- 3. MNOS.- 4. SOS.- 5. MOAS.- 6. FAMOS.- 7. MOS/Bipolar.- 8. DMOS.- 9. ESFI MOS.- 10. Non Conventional Dielectrics.- 11. Others.- IV. Applications.- 1. Memory.- 2. Logic.- 3. Microprocessors.- 4. Consumer Electronics.- a. Clocks and Watches.- b. Radio and Television.- c. Calculators.- d. Others.- 5. Electronic Instruments.- V. Reliability and Cost.- O. Charge-Coupled Devices.- I. Bibliographies.- II. Books and Symposia.- III. Review Articles.- IV. Clocking.- V. Applications.- 1. General.- 2. Shift Register/Memory.- 3. Analog Signal Processing.- 4. Filters.- 5. Image Sensors.- VI. Other Charge Transfer Devices.- 1. Bucket-Brigade.- 2. Surface Charge Transport.- 3. Others.- VII. Characterization.- 1. Transfer Efficiency.- 2. Noise Effects.- P. Schottky Diodes.- I. Books.- II. Review Articles.- III. Theory.- 1. Diffusion and Thermionic Emission.- 2. Thermionic-field and Field Emission Tunneling.- 3. Minority Carrier Injection.- 4. Image Force Lowering and Potential Energy Profile.- 5. Richardson Constant and Effective Mass.- 6. Surface States, Barrier Heights and Electrostatic Screening.- 7. Deep Lying Impurities.- 8. Photoresponse.- 9. IMREF in Barrier Region.- IV. Physical and Electrical Properties.- 1. Barrier Height.- a. Group IV Semiconductors.- b. Group III–V Semiconductors.- c. Group II–IV Semiconductors.- d. All Other Semiconductors.- 2. I–V Characteristics and Breakdown Phenomena.- 3. C–V Characteristics.- 4. Noise Effects.- 5. Photoresponse.- 6. Pressure Sensitivity.- 7. Temperature Effects.- 8. Contact Resistance.- 9. Ohmic Contacts.- V. Schottky Barrier Diode as a Research Tool.- 1. Impurity Profiling and Deep Lying Impurities.- 2. Tunneling Spectroscopy.- 3. Density of States and E-k Relationship.- 4. Other Applications.- VI. Practical Applications.- 1. Memory.- 2. Logic.- 3. Microwave Diodes.- 4. Schottky-Gate Field-Effect Transistors.- 5. Photo Detectors.- 6. Particle Detectors.- 7. Power Rectifiers.- VII. Exploratory Devices.- 1. Surface Barrier Transistors.- 2. Acoustic Wave Transducers.- 3. Cold Cathode Emitters.- 4. Bistable Switches.- 5. Luminescent Diodes.- 6. Gunn Effect Elements.- 7. Microphones and Pressure Sensors.- 8. Others.- Q. Modeling.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Computer Analysis.- V. Mathematical Analysis.- VI. P-N Junctions.- VII. Diodes.- 1. General.- 2. IMPATT and TRAPATT.- 3. Avalanche.- 4. Schottky.- 5. Gunn.- 6. PIN.- 7. BARITT.- 8. Others.- VIII. Bipolar Transistors.- 1. General.- 2. Ebers-Moll Model.- 3. Charge Control Model.- 4. Statistical Models.- 5. Other Models.- 6. Computer Analysis.- 7. High Frequency Transistors.- 8. Other Bipolar Devices.- IX. Field-Effect Transistors.- 1. General.- 2. JFET.- 3. MOSFET.- a. Two-Dimensional Models.- b. Statistical Models.- c. Other Models.- d. Computer Analysis.- 4. MNOSFET.- 5. Schottky-Gate FET.- 6. MISFET.- X. Charge-Coupled Devices.- XI. Ohmic Contacts.- XII. Silicon Dioxide.- XIII. Thyristors.- XIV. Other Devices.- XV. Integrated Circuits.- 1. MOS IC.- 2. Other IC’s.- 3. Computer-Aided Design.- XVI. Second Breakdown.- XVII. Miscellaneous.- R. Packaging.- I. Bibliographies.- II. Book.- III. Review Articles.- IV. Chip Bonding.- V. Beam-Lead Devices.- VI. Soldering Techniques.- VII. Bonding Techniques.- 1. Thermocompression.- 2. Ultrasonic.- 3. Others.- VIII. Metal-Insulator Seals.- 1. Ceramic.- 2. Glass.- IX. Interconnections.- 1. Single Layer.- 2. Multilayer.- X. Metallized Ceramics.- XI. Epoxies.- XII. Pastes/Screens.- XIII. Resistors.- XIV. Capacitors.- XV. Laser Techniques.- 1. Resistor Trimming.- 2. Insulator Processing.- 3. Others.- XVI. Encapsulation.- XVII. Hermeticity.- XVIII. Fabrication Techniques.- XIX. Types of Packages.- 1. Plastic.- 2. Ceramic.- 3. Multilayer Ceramic.- 4. Hybrid.- 5. Optoelectronic.- 6. Others.- XX. Thermal Design.- 1. Cooling Techniques.- 2. Heat Sinks.- 3. Thermal Analysis.- XXI. Reliability and Failure Analysis.- 1. Metallization Failure.- 2. Bond Failure.- 3. Circuitry Failure.- 4. Encapsulation Failure.- 5. Other Failures.- XXII. Characterization.- 1. Substrates.- 2. Bonds.- 3. Integrated Circuits.- 4. Coatings.- 5. Others.- XXIII. Computer-Aided Design.- XXIV. Tooling and Equipment.- XXV. Cost and Yield.