Carrier Lifetime Dynamics of Epitaxial Layer HVPE Gallium Arsenide Using Time-Resolved Experiments
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
05.12.2012
Verlag
British Library, Historical Print EditionsSeitenzahl
80
Maße (L/B/H)
23.4/15.6/0.4 cm
Gewicht
127 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-1-288-40565-7
GaAs is a potential semiconductor material for producing both mid-infrared and terahertz radiation using the new technique of quasi-phase matching in an orientationally patterned GaAs (OP-GaAs) crystal. OP-GaAs is grown using a fast growth process called hydride vapor phase epitaxy (HVPE), unfortunately, HVPE produces a high number of defects. These defects cause Shockley-Read-Hall recombination rates to dominate over Auger and radiative recombination rates. The carrier lifetime from four GaAs samples are reported here using two different experimental techniques. The first experiment used a streak camera to measure the carrier lifetime via time-resolved photoluminescence.
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