Die Transistortechnik ist eines jener Gebiete, auf dem in den letzten Jahren ganz erhebliche Fortschritte technischer und wirtschaftlicher Art gemacht werden konnten. An dieser Entwicklung hat die Transistormesstechnik, die sich mit den Verfahren zur Bestimmung der Kennwerte und Kenngrössen des Transistors be schäftigt, in ganz entscheidendem Masse Anteil. Eine geschlossene Darstellung der vielfältigen Messverfahren erscheint deshalb zum gegenwärtigen Zeitpunkt als gerechtfertigt. Die Entstehung einer "Transistormesstechnik" hat verschiedene Ursachen: Der Transistor muss, seiner Funktionsweise entsprechend, durch mehr Kennwerte beschrieben werden als die in dieser Hinsicht wesentlich angenehmere Elektronen röhre. Die Kennwerte hängen zudem von einer ganzen Reihe von Parametern wie Frequenz, Arbeitspunkt, Temperatur ab, die es dem Hersteller aus wirtschaftlichen Gründen versagen, auch nur annähernd ausreichendes Datenmaterial für die vielen Anwendungsbereiche bereitzustellen. Auch die relativ leicht eintretende Gefahr der Überlastung des Transistors zwingt den Hersteller, eine grössere Anzahl von Kenn werten und Sicherheitsgrenzen anzugeben, die durchweg auf experimentellem Wege kontrolliert werden. Schliesslich veranlassten - vor allem in der ersten Entwicklungs phase - die grossen, heute durch die Planartechnologie eingeengten Streuungen der Kenngrössen einen hohen messtechnischen Aufwand seitens des Herstellers, um dem Anwender einigermassen vertretbare Streugrenzen herausmessen zu können. Gegenstand der Transistormesstechnik sind nicht die grundsätzlichen schwach stromtechnischen Messverfahren schlechthin, sondern ihre Anpassung und An wendung auf den Transistor unter Beachtung seiner Besonderheiten. Die Fülle der bekannt gewordenenVerfahren versagte es von vornherein, über das zum Ver ständnis grundsätzlich Notwendige hinauszugehen, und die vielen Schaltungs auslegungen im Detail zu analysieren. Diese Kürzung dürfte zugunsten einer über sichtlicheren Darstellung vertretbar sein.
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