• Produktbild: Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors
  • Produktbild: Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors

Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors Numerical Data and Graphical Information

Fr. 419.00

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei


Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.02.2014

Abbildungen

XX, 714 p.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

714

Maße (L/B/H)

23.5/15.5/4 cm

Gewicht

1101 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4613-7392-6

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

23.02.2014

Abbildungen

XX, 714 p.

Verlag

Springer Us

Seitenzahl

714

Maße (L/B/H)

23.5/15.5/4 cm

Gewicht

1101 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-1-4613-7392-6

Herstelleradresse

Springer-Verlag KG
Sachsenplatz 4-6
1201 Wien
AT

Email: ProductSafety@springernature.com

Noch keine Bewertungen vorhanden

Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel

Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.

Kundinnen und Kunden meinen

Bewertungen (0)

  • Produktbild: Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors
  • Produktbild: Optical Constants of Crystalline and Amorphous Semiconductors
  • Introductory Remarks.- References.- A Group-VI Semiconductors.- A1 Diamond (C).- A2 Silicon (Si).- A3 Germanium (Ge).- A4 Gray Tin (?-Sn).- A5 Cubic Silicon Carbide (3C-SiC).- A6 Hexagonal Silicon Carbide (2H-, 4H-, and 6H-SiC).- A7 Rhombohedral Silicon Carbide (15R-SiC).- A8 Silicon-Germanium Alloy (Six/Ge1-x).- A9 Carbon-Incorporated Alloys (Si1-xC1-x, Si1-x-yGexCy, etc.).- B III-V Binary Semiconductors.- B1 Cubic Boron Nitride (c-BN).- B2 Hexagonal Boron Nitride (h-BN).- B3 Boron Phosphide (BP).- B4 Boron Arsenide (BAs).- B5 Aluminium Nitride (A1N).- B6 Aluminium Phosphide (AIP).- B7 Aluminium Arsenide (AlAs).- B8 Aluminium Antimonide (AlSb).- B9 Wurtzite Gallium Nitride (?-GaN).- B10 Cubic Gallium Nitride (ß-GaN).- B11 Gallium Phosphide (GaP).- B12 Gallium Arsenide (GaAs).- B13 Gallium Antimonide (GaSb).- B14 Indium Nitride (InN).- B15 Indium Phosphide (InP).- B16 Indium Arsenide (InAs).- B17 Indium Antimonide (InSb).- C III-V Alloy Semiconductors.- C1 General Remarks.- C2 Ternary Alloys.- C3 Quaternary Alloys.- D II–VI Semiconductors.- D1 Magnesium Oxide (MgO).- D2 Zinc Oxide (ZnO).- D3 Wurtzite Zinc Sulphide (?-ZnS).- D4 Cubic Zinc Sulphide (ß-ZnS).- D5 Zinc Selenide (ZnSe).- D6 Zinc Telluride (ZnTe).- D7 Cubic Cadmium Sulphide (c-CdS).- D8 Wurtzite Cadmium Sulphide (w-CdS).- D9 Cubic Cadmium Selenide (c-CdSe).- D10 Wurtzite Cadmium Selenide (w-CdSe).- D11 Cadmium Telluride (CdTe).- D12 Mercury Selenide (HgSe).- D13 Mercury Telluride (HgTe).- D14 Magnesium Cadmium Telluride (MgxCd1-xTe).- D15 Zinc Cadmium Selenide (ZnxCd1-xSe).- D16 Zinc Cadmium Telluride (ZnxCd1-xTe).- D17 Zinc Sulpho-Selenide (ZnSxSe1-x).- D18 Zinc Seleno-Telluride (ZnSexTe1-x).- D19 Cadmium Sulpho-Selenide (CdSxSe1-x).- D20 Mercury Zinc Telluride (Hg1-xZnxTe).- D21 Mercury CadmiumSelenide (Hg1-xCdxSe).- D22 Mercury Cadmium Telluride (Hg1-xCdxTe).- D23 Zinc-Based Semimagnetic Ternary Alloys (Zn1-xMnxS, Zn1-xMnxSe, etc.).- D24 Cadmium-Based Semimagnetic Ternary Alloys (Cd1-xMnxSe, Cd1-xMnx.Te, etc.).- D25 Quaternary Alloys (Zn1-xMgxSySe1-y and MgxZnyCd1-x-ySe).- E IV-VI Semiconductors.- E1 Lead Sulphide (PbS).- E2 Lead Selenide (PbSe).- E3 Lead Telluride (PbTe).- E4 Tin Telluride (SnTe).- E5 Lead Tin Selenide (Pb1-xSnxSe).- E6 Lead Tin Telluride (Pb1-xSnxTe).- F Amorphous Semiconductors.- F1 a-Diamond-Like Carbon (a-DLC).- F2 a-Silicon (a-Si).- F3 a-Germanium (a-Ge).- F4 a-Silicon–Carbon (a-Si1-x Cx).- F5 a-Gallium Phosphide (a-GaP).- F6 a-Gallium Arsenide (a-GaAs).- F7 a-Gallium Antimonide (a-GaSb).- F8 a-Indium Phosphide (a-InP).- F9 a-Indium Arsenide (a-InAs).- F10 a-Indium Antimonide (a-InSb).