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Transition-Metal Defects in Silicon New Insights from Photoluminescence Studies of Highly Enriched 28Si

Aus der Reihe Springer Theses

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

08.02.2015

Abbildungen

XII, 35 illus., 18 illus. in color., schwarz-weiss Illustrationen, farbige Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

97

Maße (L/B/H)

23.5/15.5/0.7 cm

Gewicht

1825 g

Auflage

2013

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-642-43808-0

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Taschenbuch

Erscheinungsdatum

08.02.2015

Abbildungen

XII, 35 illus., 18 illus. in color., schwarz-weiss Illustrationen, farbige Illustrationen

Verlag

Springer Berlin

Seitenzahl

97

Maße (L/B/H)

23.5/15.5/0.7 cm

Gewicht

1825 g

Auflage

2013

Sprache

Englisch

ISBN

978-3-642-43808-0

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

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  • Introduction and Background.- History of the Observed Centres in Silicon.- Experimental Method.- Results.- Discussion and Conclusion.