Dunne-filmmaterialen voor fotovoltaïsche toepassingen Numerieke simulatie en optimalisatie onder SCAPS-1D van 3C-SiC eigenschappen
-
- Niederländisch ausgewählt
Fr. 62.90
inkl. gesetzl. MwSt.,
Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
24.03.2021
Verlag
Uitgeverij Onze KennisSeitenzahl
96
Maße (L/B/H)
22/15/0.6 cm
Gewicht
161 g
Sprache
Niederländisch
ISBN
978-620-3-53001-8
Het doel van dit werk is de mogelijkheid te bestuderen om in de fotovoltaïsche technologie een binair halfgeleidermateriaal toe te passen met Silicium als de meest responsieve halfgeleider in de zonneceltechnologie. Siliciumcarbide is een belangrijke en veel gebruikte geleider, niet alleen vanwege zijn fysische eigenschappen, maar ook vanwege zijn fotovoltaïsche eigenschappen die kunnen worden benut bij de vervaardiging van cellen in de ontwikkeling van halfgeleidermaterialen voor de fotovoltaïsche technologie. De studie is toegespitst op een binaire component silicium-koolstof, te beginnen met de fundamentele prospectie van de structurele en elektronische eigenschappen van SiC onder de Wien2k-code; een numerieke simulatie met SCAPS-1D van twee vormen van PN en PiN op basis van SiC en 3C-SiC gaf nauwkeuriger een adequaat proces voor de keuze van het meest geschikte materiaal als transparante laag met dit materiaal en maakte het aldus mogelijk een beter rendement van deze fotovoltaïsche cel te verkrijgen dan 20%. De studie van enkele parameters die een belangrijke rol spelen bij de verbetering van de
Noch keine Bewertungen vorhanden
Verfassen Sie die erste Bewertung zu diesem Artikel
Helfen Sie anderen Kundinnen und Kunden durch Ihre Meinung.