Functionalized InN ISFET for DNA Hybridization Detection InN Biosensor
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
11.09.2015
Verlag
¿¿¿¿¿¿¿Seitenzahl
108
Maße (L/B/H)
22/15/0.8 cm
Gewicht
179 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-3-639-81921-2
Ultrathin (10 nm) InN ion sensitive field effect transistors (ISFETs) with gate region modified with 3-mercaptopropyltrimethoxysilane (MPTMS) by molecular vapor deposition (MVD) are used to detect hybridization of deoxyribonucleic acid (DNA). The ultrathin InN ISFETs have a high sensitivity and short response time for anion detection, showing a great potential for chemical and biological sensing applications. A drain-source current decrease(~6 uA) was observed due to the attachment of negatively charged DNA. For a 12-mer oligonucleotide probe, the detection of 1 nM target DNA was accomplished, while the noncomplementary DNA with one base mismatch did not show any obvious current variation.
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