Stress and Strain Engineering at Nanoscale in Semiconductor Devices
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Sprache:Englisch
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
25.09.2023
Abbildungen
schwarz-weiss Illustrationen, Raster, schwarz-weiss, Zeichnungen, schwarz-weiss, Tabellen, schwarz-weiss
Verlag
Taylor & FrancisSeitenzahl
260
Maße (L/B/H)
23.4/15.6/1.5 cm
Gewicht
220 g
Sprache
Englisch
ISBN
978-0-367-51933-9
Based on 3D process and device simulations with mechanical stress simulations by finite element techniques, this book explains performance assessment of nanoscale devices with strained SiGe and other stressors. It explains the process-induced stress transfer and developments at 7nm technology and below node in the area of strain-engineered devices.
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