Estudo do potencial de superfície sublimiar de MOSFETs
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
18.08.2023
Verlag
Edições Nosso ConhecimentoSeitenzahl
68
Maße (L/B/H)
22/15/0.5 cm
Gewicht
119 g
Sprache
Portugiesisch
ISBN
978-620-6-35317-1
Neste livro, o foco principal foi a modelagem e a influência das camadas de depleção em torno das regiões de fonte e dreno nas características sublimiares de um transistor MOS de canal curto com canal uniformemente dopado. Foi desenvolvido um modelo analítico para o potencial de superfície sublimiar num transístor MOS de canal curto, resolvendo a equação de Poisson pseduo-2D, formulada através da aplicação da lei de Gauss a uma caixa retangular no canal que cobre toda a profundidade da camada de depleção. O modelo foi capaz de prever uma maior influência das regiões de depleção da junção para um comprimento de canal menor e/ou tensões de polarização dreno/fonte mais elevadas devido a uma maior partilha de carga. O mesmo modelo é aplicado para encontrar o potencial de superfície sublimiar para MOSFETs de duplo halo. A diminuição da dimensão do dispositivo leva à redução da espessura do óxido de porta. Como resultado, o efeito indesejável de electrões quentes e a corrente de tunelamento da porta aumentam. Para ultrapassar este inconveniente, são utilizados materiais high-k em vez de dióxido de silício como material isolante por baixo da porta. Esta modelação revelar-se-á benéfica e contribuirá para futuros trabalhos de investigação.
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