Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
08.09.2023
Verlag
Edizioni SapienzaSeitenzahl
68
Maße (L/B/H)
22/15/0.5 cm
Gewicht
119 g
Sprache
Italienisch
ISBN
978-620-6-43381-1
I dielettrici ad alta permittività e i substrati adatti sono oggetto di studi intensivi in vista del loro utilizzo nella progettazione VLSI. Tuttavia, l'ossido di afnio (HfO2) è un candidato promettente per la prossima generazione di dielettrici di gate grazie alla sua costante dielettrica relativamente alta 25 , all'ampio bandgap, alla buona stabilità termica e all'energia libera di reazione relativamente alta con il materiale del substrato. Recentemente, i dispositivi elettronici basati sul Ge hanno riguadagnato una notevole attenzione e il Ge può fornire soluzioni ai principali problemi che la tecnologia Si sta affrontando per i dispositivi CMOS avanzati; ciò è dovuto principalmente alla maggiore mo-bilità sia delle buche che degli elettroni nel substrato Ge. Questo libro è quindi utile ai lettori per conoscere alcuni aspetti significativi della tecnologia Ge per i dispositivi ad alta frequenza.
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