Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
08.09.2023
Verlag
Verlag Unser WissenSeitenzahl
72
Maße (L/B/H)
22/15/0.5 cm
Gewicht
125 g
Auflage
1. Auflage
Sprache
Deutsch
ISBN
978-620-6-43378-1
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine grosse Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme bieten, mit denen die Si-Technologie für fortschrittliche CMOS-Bauelemente konfrontiert ist; dies ist hauptsächlich auf die höhere Mobilität sowohl der Löcher als auch der Elektronen im Ge-Substrat zurückzuführen. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Themen der Ge-Technologie für Hochfrequenz-Bauelemente zu kennen.
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