Produktbild: Growth and Application of AlN Single Crystal

Growth and Application of AlN Single Crystal

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Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

21.03.2025

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

177

Maße (L/B/H)

24.1/16/1.6 cm

Gewicht

492 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-9782-64-2

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Erscheinungsdatum

21.03.2025

Verlag

Springer Singapore

Seitenzahl

177

Maße (L/B/H)

24.1/16/1.6 cm

Gewicht

492 g

Auflage

1. Auflage

Sprache

Englisch

ISBN

978-981-9782-64-2

Herstelleradresse

Springer-Verlag GmbH
Tiergartenstr. 17
69121 Heidelberg
DE

Email: ProductSafety@springernature.com

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  • Basic Properties of Ain Single Crystal.- Physical Basis for the Growth of Ain Single Crystal.- Defects in Ain Single Crystal.- Growth of Ain Bulk Crystal by Physical Vapor Transport.- Growth of Thick Ain Layers by Hydride Vapor Phase Epitaxy.- Growth of Thin Ain Layers by Metal Organic Chemical Vapor Deposition.- Aluminium Nitride based Semiconductor Devices.