UN OUTIL DE STRUCTURE ÉLECTRONIQUE POUR LES DÉBUTANTS Analyse théorique de la structure de bande des conducteurs et des isolants semi-conducteurs
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Beschreibung
Produktdetails
Einband
Taschenbuch
Erscheinungsdatum
15.10.2024
Verlag
Editions Notre SavoirSeitenzahl
60
Maße (L/B/H)
22/15/0.5 cm
Gewicht
107 g
Sprache
Französisch
ISBN
978-620-8-18611-1
Français Le conducteur, le semi-conducteur (bande interdite directe et indirecte) et l'isolant jouent un rôle important dans les domaines de recherche en physique et en matériaux. Presque tous les matériaux ont une sorte de propriétés électroniques. Nous avons effectué le calcul pour étudier la structure de bande et la densité d'état (DoS) en utilisant le code WIEN dans la méthode de la théorie fonctionnelle de la densité (DFT). Dans ce travail, le calcul de la structure de bande est effectué pour le manganèse (Mn), la bande interdite indirecte du silicium (Si), la bande interdite directe du phosphore d'indium (In-P) et le brome (Br) qui concordent étroitement avec les résultats expérimentaux disponibles. De plus, à partir de l'étude de la densité d'état totale et partielle de Mn, vSi, In-P et Br, il est observé que les matériaux sont conducteurs, semi-conducteurs (bande interdite indirecte et directe) et isolants. Dans un premier temps, la structure est optimisée avec les paramètres de réseau existants et les propriétés électroniques sont déterminées pour la structure optimisée. Le profil de bande et les histogrammes DoS suggèrent la mobilité des électrons de la bande de valence à la bande de conduction. L'écart énergétique existant/non existant entre la bande de valence et la bande de conduction est exploré et la nature conductrice des matériaux rapportés.
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