Produktbild: High Power Insulated-gate Bipolar Transistor (IGBT) Drivers
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High Power Insulated-gate Bipolar Transistor (IGBT) Drivers Design and Applications

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Produktdetails

Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.11.2026

Verlag

Elsevier

Seitenzahl

500

Maße (L/B)

22.9/15.2 cm

Gewicht

450 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-443-52655-8

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Einband

Taschenbuch

Erscheinungsdatum

01.11.2026

Verlag

Elsevier

Seitenzahl

500

Maße (L/B)

22.9/15.2 cm

Gewicht

450 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-443-52655-8

Herstelleradresse

Libri GmbH
Europaallee 1
36244 Bad Hersfeld
DE

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