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Produktbild: III-V Nitrides Semiconductors and Ceramics: From Material Growth to Device Applications

III-V Nitrides Semiconductors and Ceramics: From Material Growth to Device Applications

Aus der Reihe European Materials Research Society Symposia Proceedings

Fr. 242.00

inkl. gesetzl. MwSt., Versandkostenfrei

Beschreibung

Produktdetails

Einband

Gebundene Ausgabe

Erscheinungsdatum

22.07.1998

Abbildungen

illustrations, (some colour )

Verlag

Elsevier Science & Technology

Seitenzahl

330

Maße (B/H)

20.9/27.9 cm

Gewicht

960 g

Sprache

Englisch

ISBN

978-0-444-20518-6

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22.07.1998

Abbildungen

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Elsevier Science & Technology

Seitenzahl

330

Maße (B/H)

20.9/27.9 cm

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960 g

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Englisch

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978-0-444-20518-6

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  • Produktbild: III-V Nitrides Semiconductors and Ceramics: From Material Growth to Device Applications
  • Chapter headings and selected papers: Preface. GaN Growth. Efficient and uniform production of III-nitride films by multiwafer MOVPE (M. Deschler et al.). Plasma assisted molecular beam epitaxy growth of GaN (S. Einfeldt et al.). GaN thin films deposited by pulsed laser ablation in nitrogen and ammonia reactive atmospheres (D. Cole et al.). Electronic, Structural Properties and Characterisation. Characterization of AIN buffer layers on (0001)-sapphire substrates (Y.M. Le Vaillant et al.). Zinc-blende GaN: ab initio calculations (J.L.A. Alves et al.). The structure of GaN layers grown on SiC and sapphire by molecular beam epitaxy (P. Ruterana et al.). Transmission electron microscopy characterisation of metalorganic chemical vapour deposition grown GaN layers (B. Pécz et al.). Optical Properties of GaN. Characterization of Ca and C implanted GaN (B. Mensching et al.). Optical and magneto-optical characterization of heteroepitaxial gallium nitride (B.J. Skromme). Optical characterization of MBE-grown GaNs (G. Pozina et al.). Photoluminescence properties of nanocrystalline AIN layers grown by pulse plasma assisted CVD (A. Olszyna et al.). Quantum Phenomena. Nanosecond pump-and-probe study of wurtzite GaN (T. Deguchi et al.). Two-photon spectroscopy in GaN (M. Steube et al.). Quantum beat spectroscopy on excitons in GaN (R. Zimmermann et al.). Nitride Alloys: AlGaN, InGaN and GaAsN. Properties and applications of MBE grown AlGaN (M. Stutzmann et al.). Comparative study of hexagonal and cubic GaN growth by RF-MBE (G. Feuillet et al.). Nitride Devices and Device Modelling. RT-CW operation of InGaN multi-quantum-well structure laser diodes (S. Nakamura). Electrical and optical properties of p-SiC/n-GaN heterostructures (M. Topf et al.).