Effect of Disorder and Defects in Ion-Implanted Semiconductors: Electrical and Physiochemical Characterization
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Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
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Nein
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
23.05.1997
Verlag
Elsevier Science & Techn.Seitenzahl
300 (Printausgabe)
Sprache
Englisch
EAN
9780080864426
Electrical and Physicochemical Characterization focuses on the physics of the annealing kinetics of the damaged layer. An overview of characterization tehniques and a critical comparison of the information on annealing kinetics is also presented.
- Provides basic knowledge of ion implantation-induced defects
- Focuses on physical mechanisms of defect annealing
- Utilizes electrical and physico-chemical characterization tools for processed semiconductors
- Provides the basis for understanding the problems caused by the defects generated by implantation and the means for their characterization and elimination
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