Silicon Carbide and Related Materials - 1999
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Sprache:Englisch
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inkl. gesetzl. MwSt.Beschreibung
Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
Family Sharing
Nein
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
10.05.2000
Herausgeber
Calvin H. Carter Jr. + weitereVerlag
Trans Tech PublicationsSeitenzahl
1786 (Printausgabe)
Dateigröße
111793 KB
Sprache
Englisch
EAN
9783035705515
Silicon carbide is the semiconductor of choice for new applications including electric power devices, high frequency devices, high temperature devices, and radiation resistant devices. The III-Nitride compound semiconductors are well suited for optoelectronics and are promising materials for high frequency devices. This two-volume set contains written versions of papers presented at the International Conference on Silicon Carbide and Related Materials - 1999 (ICSCRM'99), held October 10-15, 1999, at Research Triangle Park, North Carolina.
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