Gallium Arsenide III
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Sprache:Englisch
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Produktdetails
Format
Kopierschutz
Nein
Family Sharing
Nein
Text-to-Speech
Nein
Erscheinungsdatum
01.01.1989
Verlag
Trans Tech PublicationsSeitenzahl
380 (Printausgabe)
Dateigröße
51357 KB
Sprache
Englisch
EAN
9783035739701
This issue is based on proceedings of the 3rd International Conference on Physics and Technology of GaAs and other III-V Semiconductors, Lomnica, CSFR, December 1988. The collected articles present research results in studies of crystal properties and preparation methods of gallium arsenide and the use of gallium arsenide as a semiconductor compound with high electron mobility.
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