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Produktbild: Structure of Inversion Boundaries in Doped ZnO
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Structure of Inversion Boundaries in Doped ZnO Atomic-Scale Insights from Electron Microscopy and Quantum Chemical Calculations

Aus der Reihe SpringerBriefs in Materials

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inkl. gesetzl. MwSt.

Beschreibung

This brief discusses the atomic-scale structure and stability of inversion boundaries (IBs) in Sb- and Sn-doped wurtzite ZnO, a material of great interest due to its electronic, optical, and transport properties. Using a combination of advanced electron microscopy, density functional theory calculations,...

Beschreibung

This brief discusses the atomic-scale structure and stability of inversion boundaries (IBs) in Sb- and Sn-doped wurtzite ZnO, a material of great interest due to its electronic, optical, and transport properties. Using a combination of advanced electron microscopy, density functional theory calculations, and image-based modeling, the study reveals how dopants with higher oxidation states drive polarity inversion in ZnO and influence defect formation, cation ordering, and stacking stability. The implemented methodology can predict structural details with confidence levels better than 1 pm. Ultimately, the book offers both experimental insights and theoretical predictions that help resolve long-standing questions about IBs and demonstrate a generalizable methodology for understanding dopant-induced planar defects in functional materials. It is a valuable resource for graduate students, researchers, and professionals working in the fields of materials science, solid-state physics, nanotechnology, and semiconductor engineering.

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Erscheinungsdatum

05.11.2026
Verlag Springer Nature Switzerland
Seitenzahl

121 (Printausgabe)
Dateigröße

18622 KB
Sprache

Englisch
EAN

9783032294456
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